TRANSISTOR MOSFET FQPF10N60C 600V 10A 50W CANAL N TO-220F

transistor mosfet de canal n modelo fqpf10n60c com tensão de dreno-fonte de 600 v, corrente máxima de 10 a e dissipação de potência de 50 w, encapsulado em to-220f. componente semicondutor utilizado para chaveamento de alta tensão e aplicações de potência em fontes chaveadas, inversores, conversores dc-dc, controles de motor e outros circuitos eletrônicos que exigem alta tensão de operação e eficiência de comutação.

caracteristicas do produto
mosfet canal n fqpf10n60c
tensão máxima de dreno-fonte 600 v
corrente máxima de dreno 10 a
dissipação de potência até 50 w
encapsulamento to-220f com aba metálica para dissipador
baixo rds(on) para eficiência de chaveamento
adequado para aplicações de potência elevada

especificacoes tecnicas
tipo de componente mosfet de potencia
modelo fqpf10n60c
categoria canal n
tensão de dreno-fonte 600 v
corrente máxima de dreno 10 a
potencia de dissipação 50 w
estado novo

aplicacoes comuns
fontes chaveadas (smps)
inversores e conversores de alta tensão
drivers de motor e atuadores
circuitos de regulagem de tensão e controle
aplicacoes industriais e automotivas de alta tensão

dimensoes aproximadas
encapsulamento to-220f padrão
altura total aproximada 20 mm
largura da aba traseira aproximada 10 mm
espessura de encapsulamento padrão to-220f

conteudo da embalagem
01 transistor mosfet fqpf10n60c 600 v 10 a 50 w canal n to-220f

aviso tecnico
confira as especificações elétricas, pinagem e requisitos térmicos antes da instalação. circuitos de alta tensão e de potência devem ser projetados ou revisados por técnico qualificado para evitar danos, sobreaquecimento e riscos de segurança. o uso de dissipador de calor adequado é recomendado conforme aplicação.