TRANSISTOR MOSFET IRF840 500V 8A 125W CANAL N TO-220

O Transistor MOSFET IRF840 500V 8A 125W Canal N TO-220 é um componente semicondutor de potência projetado para aplicações que exigem alta capacidade de tensão, boa condução de corrente e operação confiável em circuitos de potência. Este modelo é amplamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas, inversores, conversores DC-DC, controladores de motores, sistemas de energia, equipamentos industriais e aplicações eletrônicas que demandam comutação eficiente em tensões elevadas.

O IRF840 possui tensão máxima dreno-fonte de até 500V e corrente contínua de dreno de até 8A, oferecendo margem adequada para aplicações que operam com tensões elevadas e demandas de energia intensas. A potência máxima de dissipação de até 125W garante desempenho estável quando o componente é instalado com adequada dissipação térmica, preferencialmente com uso de dissipador de calor e ventilação adequada para manter a temperatura dentro dos limites especificados no projeto.

Este MOSFET é do tipo canal N, com baixa resistência RDS(on) em condução, o que contribui para reduzir perdas por aquecimento e melhorar a eficiência do circuito em comutação. Sua operação em alta tensão torna-o adequado para uso em estágios de potência de fontes chaveadas flyback, forward e outros topologias onde a retenção de tensão é crítica, além de aplicações industriais que operam diretamente com linhas de alta tensão.

O encapsulamento TO-220 facilita a montagem em placas de circuito impresso no padrão THT e a fixação em dissipadores de calor, proporcionando melhor controle térmico em aplicações de uso contínuo ou em ambientes com altas demandas elétricas. A pinagem padrão possibilita fácil substituição em processos de manutenção e integração em novos projetos eletrônicos, desde que respeitadas as especificações elétricas e térmicas.

Este transistor é indicado para técnicos, integradores e desenvolvedores que buscam um componente robusto para reposição ou implementação em sistemas de alta potência e tensão. Antes da instalação, é essencial verificar o código do componente original, a pinagem e as exigências do projeto para assegurar compatibilidade total com a aplicação desejada. O uso de práticas adequadas de soldagem e proteção contra descargas eletrostáticas é recomendado para preservar a integridade do MOSFET durante a montagem.

Características técnicas
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N
Modelo: IRF840
Tensão dreno-fonte máxima: 500V
Corrente contínua de dreno: até 8A
Potência máxima de dissipação: até 125W
Encapsulamento: TO-220
Tipo de montagem: THT, furo passante, fixação em dissipador
Aplicações típicas: fontes chaveadas, inversores, conversores DC-DC, controladores de motores, sistemas de energia e eletrônicos de potência

Dimensões aproximadas
Altura total: 15 mm
Largura do corpo: 10 mm
Espessura do corpo: 4,5 mm
Passo entre terminais: 2,54 mm
Comprimento dos terminais: 14 mm

Uso e compatibilidade
Compatível com projetos eletrônicos que utilizem MOSFET canal N de alta tensão em encapsulamento TO-220 com tensão de até 500V e corrente de até 8A, respeitando a pinagem e os limites térmicos e elétricos do circuito. Pode ser utilizado como substituto em placas e módulos que adotem componentes com características elétricas equivalentes ao IRF840.

Conteúdo da embalagem
01 Transistor MOSFET IRF840 500V 8A 125W Canal N TO-220

Aviso importante sobre devolução e instalação
A devolução do produto só será aceita se a instalação for realizada por técnico certificado e mediante apresentação de identificação profissional válida, como CNPJ, MEI ou registro técnico. Caso o produto tenha sido instalado por pessoa não certificada ou sem comprovação profissional, a devolução não será aceita em nenhuma hipótese. Recomendamos fortemente que a instalação seja feita por assistência técnica certificada, garantindo o funcionamento correto do produto e evitando danos ao equipamento e ao próprio componente.