TRANSISTOR MOSFET IRF9540N 100V 19A 150W CANAL P

O Transistor MOSFET IRF9540N 100V 19A 150W Canal P é um componente semicondutor de potência desenvolvido para aplicações que exigem controle eficiente de cargas, comutação rápida e operação confiável em circuitos eletrônicos de média e alta potência. Este modelo é do tipo canal P, possibilitando integração em topologias que necessitam de dispositivos de polaridade reversa ou carregamento de cargas no lado de tensão positiva. O IRF9540N é amplamente utilizado em fontes simétricas, estágios de potência em conversores DC-DC, controladores de motores, sistemas de áudio, placas industriais e projetos que demandam amplificação ou chaveamento de potência com polaridade específica.

Este transistor MOSFET suporta tensão máxima dreno-fonte de até 100 volts, o que torna o componente adequado para aplicações que operam em tensões intermediárias, incluindo fontes de alimentação, sistemas automotivos e circuitos eletrônicos industriais que exigem estabilidade em ambientes de operação rigorosos. A corrente contínua de dreno de até 19 amperes permite condução de cargas consideráveis, enquanto a potência máxima de dissipação de até 150 watts garante desempenho estável quando o componente é instalado com dissipação térmica adequada. O encapsulamento TO-220 oferece contato térmico eficiente para montagem em dissipadores, auxiliando no controle da temperatura mesmo em aplicações de uso prolongado.

A baixa resistência RDS(on) em condução contribui para reduzir perdas de energia e minimizar aquecimento excessivo no componente, favorecendo maior eficiência energética no circuito. Em aplicações que exigem polaridade reversa ou operação nos trilhos de tensão negativa, o uso de um MOSFET de canal P como o IRF9540N simplifica o projeto e melhora o desempenho em comparação com soluções que utilizam múltiplos dispositivos em configuração complementar.

Este MOSFET é indicado para técnicos, integradores e desenvolvedores que buscam um componente robusto para reposição ou implementação em projetos de potência, controle de motores, áudio, conversores e sistemas industriais. Antes da instalação, recomenda-se verificar a pinagem do componente, a compatibilidade com o circuito original e as especificações elétricas para garantir total aderência ao projeto. A utilização de práticas adequadas de soldagem e proteção contra descargas eletrostáticas é essencial para preservar a integridade do dispositivo durante a montagem.

Características técnicas
Tipo: MOSFET de potência
Canal: P
Modelo: IRF9540N
Tensão dreno-fonte máxima: 100V
Corrente contínua de dreno: até 19A
Potência máxima de dissipação: até 150W
Encapsulamento: TO-220
Tipo de montagem: THT, furo passante, fixação em dissipador
Aplicações típicas: fontes simétricas, conversores DC-DC, controle de motores, sistemas de áudio, módulos industriais e eletrônicos de potência com polaridade reversa

Dimensões aproximadas
Altura total: 15 mm
Largura do corpo: 10 mm
Espessura do corpo: 4,5 mm
Passo entre terminais: 2,54 mm
Comprimento dos terminais: 14 mm

Uso e compatibilidade
Compatível com projetos eletrônicos que utilizem MOSFET sabor canal P em encapsulamento TO-220 com tensão de até 100V e corrente de até 19A, respeitando a pinagem e os limites térmicos e elétricos do circuito. Pode ser utilizado como substituto em placas e módulos que adotem componentes com características elétricas equivalentes ao IRF9540N.